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上??萍即髮W(xué)信息學(xué)院吳濤課題組在微納傳感器件領(lǐng)域取得多項重要成果

上科大信息學(xué)院吳濤課題組致力于利用先進(jìn)傳感材料與微納工藝研發(fā)微納機電器件與系統(tǒng)(MEMS),主要包括多鐵態(tài)材料的耦合機理與傳感應(yīng)用,壓電聲學(xué)微納器件與IC接口電路,磁電傳感器等。近期,課題組基于AlN/AlScN(氮化鋁)壓電薄膜的射頻濾波器、聲學(xué)換能器(PMUT)與磁電傳感器的研究成果先后在《自然》子刊《微系統(tǒng)與納米工程》(Microsystems & Nanoengineering)和第34屆微機電系統(tǒng)國際會議(34th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems) 發(fā)表。這些研究成果將傳感設(shè)計與微納制造結(jié)合,充分利用了基于微機電系統(tǒng)器件的小尺寸、高性能特點,在推動器件微型化的應(yīng)用中具有良好的前景。

新型AlN MEMS濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

5G通信為追求更快的通信速率而分配了更寬的頻段。射頻帶通濾波器用于選擇所需信號,過濾無關(guān)的信號,是通信前端的關(guān)鍵。MEMS濾波器以其緊湊的尺寸、低成本和出色的濾波性能脫穎而出。為了提高基于MEMS濾波器的帶寬,課題組提出了一種具有極高帶寬擴(kuò)展能力的AlN MEMS濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。研究主要在三個方向?qū)EMS濾波器進(jìn)行了廣泛的探索:實現(xiàn)高耦合的振動模態(tài)、探索高壓電系數(shù)的材料(例如摻鈧氮化鋁AlScN和鈮酸鋰LiNbO3)以及使用混合拓?fù)鋵β晫W(xué)諧振器擴(kuò)展帶寬。

針對基于AlN壓電聲學(xué)諧振濾波器帶寬較小的問題,課題組與合作者提出了一種具有極高帶寬擴(kuò)展能力的AlN MEMS濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在實驗中將AlN蘭姆波諧振器與表面貼裝集總元件整合后進(jìn)行了驗證,使得在僅使用一個諧振器的情況下,就可以將耦合系數(shù)僅有0.94%的諧振器拓展至5.6%的比例帶寬,是傳統(tǒng)拓?fù)涞募s12倍。這項技術(shù)有望作為5G N77/N79等高寬帶通信的解決方案。吳濤教授為本論文通訊作者。

上??萍即髮W(xué)信息學(xué)院吳濤課題組在微納傳感器件領(lǐng)域取得多項重要成果

圖1. AlN諧振器與新型濾波器拓?fù)涫疽鈭D

新型洛倫茲力磁傳感器

課題組設(shè)計出一種基于橫向高階體聲諧振器(LOBAR)的垂直磁場檢測的洛倫茲力磁傳感器,該傳感器利用垂直磁場產(chǎn)生的洛倫茲力激勵氮化鋁(AlN)薄膜發(fā)生諧振,通過壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換為電信號,建立起磁場強度與電壓幅值之間的關(guān)系。該設(shè)計沒有使用任何磁性材料,降低了成本也避免了磁性材料帶來滯后和飽和效應(yīng)。由于采用高階模式,該磁傳感器在大氣壓力下可以在261 MHz高諧振頻率下工作,獲得250 KHz的高帶寬。通過縮小傳感器的尺度,可以使器件工作在GHz的頻率。2020級博士研究生邵率為第一作者和通訊作者。上??萍即髮W(xué)為該研究的第一完成單位,美國伊利諾伊大學(xué)香檳分校為合作單位。

新型氮化鋁電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)

課題組提出了氮化鋁電感耦合等離子體刻蝕的機理,并通過多參數(shù)的綜合分析優(yōu)化獲得了優(yōu)良的刻蝕效果,刻蝕側(cè)壁的傾角是目前已報道的最好結(jié)果。電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)在基于氮化鋁和鈧摻雜氮化鋁薄膜的微納器件制造中被廣泛使用,且刻蝕效果顯著影響器件的性能。與傳統(tǒng)的工作相比,該研究的優(yōu)化方法更系統(tǒng)和有效。2019級碩士研究生羅智方為第一作者和通訊作者,上??萍即髮W(xué)為第一完成單位。

超聲測距新方法

課題組研究了基于氮化鋁薄膜的超聲換能器的超聲測距的新方法。在本文的設(shè)計中,通過電路耦合,將PMUT的激勵信號疊加到輸出信號上,再通過兩個信號的相位信息確定待測距離與聲波波長的關(guān)系。這種方法消除了傳統(tǒng)TOF測距方式的回波干擾問題,能在短距離測距中提高精度。2020級碩士研究生蔡俊翔為該論文的第一作者,2020級博士研究生劉康福為第二作者,吳濤教授為通訊作者。上??萍即髮W(xué)為第一完成單位,上海微技術(shù)工業(yè)研究院為合作單位。

上??萍即髮W(xué)信息學(xué)院吳濤課題組在微納傳感器件領(lǐng)域取得多項重要成果

圖2. IEEE MEMS 2021發(fā)表三篇文章亮點示意圖

上述研究均得到了國家自然科學(xué)基金、上海自然科學(xué)基金、上??萍即髮W(xué)啟動經(jīng)費,以及上??萍即髮W(xué)公共科研平臺(量子器件中心、軟納米平臺、分析測試平臺)的大力支持。


論文名稱及鏈接:

1. AlN MEMS filters with extremely high bandwidth widening capability,

論文鏈接:https://doi.org/10.1038/s41378-020-00183-5

2. Wide Bandwidth Lorenz-Force Magnetometer Based on Lateral Overtone Bulk Acoustic Resonator,

論文鏈接:https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9375335/

3. Optimization of AlN and AlScN Film ICP Etching,

論文鏈接:https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9375464

4. Increasing Ranging Accuracy of Aluminum Nitride PMUTs by Circuit Coupling,

論文鏈接:https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9375241/


來源:福建高考早知道,轉(zhuǎn)載請聯(lián)系原作者。